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尼健~30代未経験から始めたビルメンのブログ

兵庫県の宝塚市在住です。 職業は建物管理業(ビルメン)の会社員です。 今までに取得した資格は第一種電気工事士、甲種4類消防設備士、福祉住環境コーディネーター2級、宅地建物取引士、平成30年の9月に第三種電気主任技術者試験を受験予定です。

電力用半導体素子(半導体バルブデバイス) IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の特徴
IGBTは絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの略で、
高電圧、大電流でMOSFETに比べオン電圧が低くなる特徴がある。
MOSFETをバイポーラトランジスタのゲートとして組み込んだ複合素子。


特徴:
①ゲートにはMODFETであるので、ゲートーエミッタ間の電圧でCE間の電流を制御するので
ゲート電流は流れない。
したがって、ターンオン、オフ時ともに駆動ゲート電力はほとんど0である。

②IGBTはG-E間の電圧で駆動され、入力信号よりオン、オフできる自己消弧形である。

③IGBTはMOS構造ののゲートバイポーラトランジスタとを組み合わせた構造

④IGBTはMOSFETの欠点である高耐圧での高いオン抵抗による発熱と、
バイポーラトランジスタの低いスイッチング速度を補うように、
入力段にMOSFET、出力段にバイポーラトランジスタを一つの半導体素子に
構成したもので、MOSFETよりスイッチング速度は遅い。

⑤他の半導体素子では異なる型の素子を並列接続すると、入出力電流は不安定になり
使用できない。IGBTは高温でオン電圧(抵抗)が上昇し、電流分布が均一となり、
並列接続はできる。



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