尼健～30代未経験から始めたビルメンのブログ

IGBTは絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの略で、
高電圧、大電流でMOSFETに比べオン電圧が低くなる特徴がある。
MOSFETをバイポーラトランジスタのゲートとして組み込んだ複合素子。


特徴：
①ゲートにはMODFETであるので、ゲートーエミッタ間の電圧でCE間の電流を制御するので
ゲート電流は流れない。
したがって、ターンオン、オフ時ともに駆動ゲート電力はほとんど０である。

②IGBTはG－E間の電圧で駆動され、入力信号よりオン、オフできる自己消弧形である。

③IGBTはMOS構造ののゲートバイポーラトランジスタとを組み合わせた構造

④IGBTはMOSFETの欠点である高耐圧での高いオン抵抗による発熱と、
バイポーラトランジスタの低いスイッチング速度を補うように、
入力段にMOSFET、出力段にバイポーラトランジスタを一つの半導体素子に
構成したもので、MOSFETよりスイッチング速度は遅い。

⑤他の半導体素子では異なる型の素子を並列接続すると、入出力電流は不安定になり
使用できない。IGBTは高温でオン電圧（抵抗）が上昇し、電流分布が均一となり、
並列接続はできる。